原料纯度与活性难兼顾：要维持99.99%的纯度，必须使用高纯原料，但高纯粉体往往活性较低，导致烧结困难。工艺上需在高纯与高活性之间寻找平衡点，这对粉体合成技术提出了极高要求。

　　烧结致密化与晶粒控制难：高纯氧化铝烧结温度极高（通常>1600℃），极易导致晶粒异常长大，形成气孔，降低机械强度。如何在高温下实现完全致密化的同时，精确控制晶粒尺寸，是提升产品性能的关键瓶颈。

　　大尺寸部件成型与加工难：随着半导体设备腔体等大尺寸部件需求增加，传统干压成型易导致密度不均和开裂。同时，高纯氧化铝硬度极高，后期加工（如切割、研磨）难度大，成本高昂，限制了其在大尺寸精密结构件上的应用。