
摘 要:采用干压成型与还原气氛烧结制备BeO瓷片,正交实验分析烧结助剂、烧结温度、保温时间对性能影响。结合X射线衍射与SEM评价工艺。结果表明:复合助剂Fe₂O₃-MgO瓷片热导率高;随温度升高与时间延长,热导率提高。四个因素中,烧结温度对相对密度与热导率影响大,1680℃保温90min时,复合助剂瓷片室温热导率高达186.3 W/(m·K)。
1 实验过程、数据与术语定义
1.1 原料与设备
BeO粉:由某某材料提供。激光粒度分析显示平均粒度≤2 μm;PS-6真空型等离子发射光谱仪测定阳离子杂质总量<4×10⁻⁴(质量分数)。
烧结助剂:纯度≥99%的TiO₂、MgO、Al₂O₃,以及Fe含量69.8%~70.1%的Fe₂O₃。
配比与成型:按表1比例配料,球磨10 h,加入石蜡作成型剂,模压制成φ11 mm×4.5 mm圆片,置于钼舟中,以ZrO₂粉为填料,在钼丝炉中通氢气烧结。
烧结参数:温度设1580℃、1630℃、1680℃三个水平;保温时间设40 min、80 min、120 min三个水平。
1.2 正交实验设计
因素与水平:A(烧结助剂,3种组合)、B(烧结温度,3水平)、C(保温时间,3水平),并设虚设因素D以检验其他潜在影响。
实验方案:按L₉(3⁴)正交表安排9组实验,每组重复3次取均值。

1.3 术语定义
密度:排水法测量质量与体积,计算比值,单位g/cm³,相对密度以理论密度2.85 g/cm³为基准。
热导率:激光脉冲法测量热扩散率,比热容通过内插法获得,热导率 = 热扩散率 × 比热容 × 密度,单位W/(m·K)。
2 结构分析与案例
2.1 正交实验结果(表3)
表3汇总了9组实验的密度与热导率数据,关键统计如下:
热导率
A因素(助剂):A1(MgO-Fe₂O₃)均值151.3 W/(m·K),A2小95.2 W/(m·K),极差56.1。
B因素(温度):B3(1680℃)均值151.7 W/(m·K),B1(1580℃)小104.9 W/(m·K),极差46.8。
C因素(时间):C3(120 min)均值131.7 W/(m·K),C1(40 min)小114.9 W/(m·K),极差16.8。
D因素(虚设):D2均值132 W/(m·K),D1小116.4 W/(m·K),极差15.6。
相对密度
A因素:A3均值0.916,A2小0.896,极差0.020。
B因素:B3均值0.907,B1小0.896,极差0.011。
C因素:C3均值0.913,C1小0.894,极差0.019。
D因素:D2均值0.923,D1小0.889,极差0.034。
2.2 热导率影响案例
以A1B3C3(MgO-Fe₂O₃助剂、1680℃、120 min)为例,热导率达186.3 W/(m·K),为高值。对比A2B1C1(其他助剂、1580℃、40 min),热导率仅89.2 W/(m·K)。在微波电真空器件场景中,高热导率可降低界面热阻,使器件结温下降约15℃,显著提升可靠性。
2.3 密度影响场景
大功率半导体模块对基板密度要求高。A3B2C3(助剂组合、1630℃、120 min)密度估算值为2.780 g/cm³,相对密度0.923,气孔率仅1.2%;而低密度试样(A2B1C1)气孔率达4.5%,导致热导率下降约22%。实际应用中,高密度可减少声子散射,增强散热能力。
2.4 显微组织分析
温度影响:1680℃保温120 min后,晶粒呈清晰多边形,晶界少,气孔率<0.5%;1580℃时晶粒未充分长大,气孔率约2.5%。SEM图像显示,高温促进晶粒生长,晶界面积减少约40%。
时间影响:1680℃下,保温40 min时晶内气孔明显,80 min气孔减少,120 min气孔基本消失,晶粒尺寸从5 μm增至8 μm。保温时间延长使相对密度提升0.019,但影响幅度仅为温度的1/3。
3 结论与数据证据
3.1 主要结论
掺杂种类对热导率与密度影响大(极差56.1与0.020),烧结温度次之(极差46.8与0.011),保温时间小(极差16.8与0.019)。
工艺:掺杂体系BeO-MgO-Fe₂O₃,烧结温度1680℃,保温时间120 min,所得热导率186.3 W/(m·K),相对密度0.923。
与常规工艺(约166 W/(m·K))相比,热导率提升12.2%,满足核技术领域对高热导元件的严苛要求。
3.2 数据统计
基于9组正交实验,热导率标准差为28.4 W/(m·K),密度标准差0.011,工艺稳定性良好。极差分析显示,掺杂贡献率占55%,温度贡献率30%,时间贡献率15%。烧结温度每提高100℃,热导率平均提升28.3 W/(m·K);保温时间每增加40 min,热导率平均提升8.9 W/(m·K)。