烧结是陶瓷获得预期显微结构和性能的核心热处理过程。

　　·排胶阶段：

　　必须设置足够缓慢的升温速率（如0.5-2°C/min）并在粘结剂分解温度区间（通常250-500°C）进行长时间保温（1-2小时），以确保有机物完全分解并排出，避免产生气泡、开裂或碳残留。证据表明，排胶不当是导致陶瓷体内产生宏观气孔和强度骤降的主要原因之一。

　　·升温与保温阶段：

　　·常规烧结：

　　针对高纯亚微米氧化铝，峰值温度通常在1500-1650°C之间。保温时间并非越长越好，过长会导致晶粒过度生长。例如，实验发现，在1600°C下，保温时间从2小时延长至6小时，晶粒平均尺寸从3μm增长到8μm，虽然密度略有增加，但抗弯强度因晶粒粗化反而下降了约15%。

　　·热压烧结：

　　在施加单轴压力（20-40MPa）的同时进行烧结，能极大地促进致密化，降低烧结温度（可降低100-150°C）并抑制晶粒生长。具体数据：采用热压烧结（1550°C，30MPa，保温1小时）制备的氧化铝陶瓷，其密度可达3.98 g/cm³（>99.5%理论密度），晶粒尺寸小于2μm。

　　·气氛控制：

　　在空气或氧气气氛中烧结有利于氧空位的填充，促进扩散。对于掺杂或含易挥发成分的体系，需采用特定气氛保护。

　　·冷却制度：

　　控制冷却速率，特别是在晶相转变和热应力敏感温度区间（如1000°C以上），快速冷却可能导致微裂纹。对于要求高硬度的部件，可采用适度快冷以细化晶界结构。