1. 实验过程

　　本实验以碳化硅骨料、章村土系结合剂和核桃壳粉为原料，通过等静压成型工艺和低温烧结制备了碳化硅质高温陶瓷膜材料。实验过程中，首先将碳化硅骨料与章村土系结合剂和核桃壳粉按一定比例混合，经过球磨处理，制备出均匀的浆料。然后将浆料倒入模具中，采用等静压成型工艺成型，成型压力分别为50 MPa、70 MPa和90 MPa，以研究成型压力对坯体强度的影响。成型后的坯体在1250～1270°C的温度范围内进行烧结，烧结时间保持一致，以研究烧成温度对膜材料强度、孔径、气孔率和透气阻力的影响。

　　2. 结构分析

　　烧结后的碳化硅陶瓷膜通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和压汞仪等手段进行结构分析。SEM结果显示，烧结助剂在烧结过程中起到了连接碳化硅颗粒的作用，形成了陶瓷的骨架结构。随着烧结助剂含量的增加，碳化硅陶瓷膜的孔隙率从42%降低到35%，同时平均孔径从3.5μm降低到2.1μm。XRD分析表明，烧结过程中没有发生相转变，烧结体的XRD扫描谱线与原料粉体的谱线符合程度较高。压汞仪测试结果显示，烧结助剂含量为30%时，碳化硅陶瓷膜的孔径分布较为均匀，孔径大小集中在2.1μm左右。

　　3. 结论

　　实验结果表明，采用低温烧成工艺可以有效降低碳化硅陶瓷膜的制备能耗。当成型压力为70 MPa、烧成温度为1250～1270°C时，制品综合性能较优。烧结助剂的加入对碳化硅陶瓷膜的微观结构和性能有显著影响，随着烧结助剂含量的增加，膜的孔隙率和孔径均有所降低，膜的强度和分离性能得到提高。因此，通过优化烧结助剂含量和烧结温度，可以制备出高强度、孔径均匀的碳化硅陶瓷膜，为碳化硅陶瓷膜的工业化生产提供了理论依据。